顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的制造方法
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摘要
本发明的目的在于，提供：可以得到高纯度的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸晶体的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸晶体的制造方法。本发明的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸晶体的制造方法具备下述工序。工序1：测定含有顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸的原料水溶液中的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸相对于反式,反式‑1,2,4‑环己烷三羧酸的质量比(顺式/反式比)，形成顺式/反式比为10以上的析晶用原料水溶液的工序；工序2：将工序1中得到的析晶用原料水溶液析晶的工序。
基本信息
专利标题 ：
顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110402243A
申请号 ：
CN201880018015.7
公开（公告）日 ：
2019-11-01
申请日 ：
2018-03-19
授权号 ：
CN110402243B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
斋藤伸弥熊野达之
申请人 ：
三菱瓦斯化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201880018015.7
主分类号 ：
C07C51/43
IPC分类号 ：
C07C51/43 C07C61/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07C
无环或碳环化合物
C07C51/00
羧酸或它们的盐、卤化物或酐的制备
C07C51/42
分离；纯化；稳定化；添加剂的使用
C07C51/43
用物理状态的变化，例如结晶
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-11-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07C 51/43
申请日 : 20180319
申请日 : 20180319
2019-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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