一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法
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摘要
一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly‑TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。
基本信息
专利标题 ：
一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111816794A
申请号 ：
CN201910284885.5
公开（公告）日 ：
2020-10-23
申请日 ：
2019-04-10
授权号 ：
CN111816794B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
杜祖亮王书杰张梦华王啊强方岩
申请人 ：
河南大学
申请人地址 ：
河南省开封市明伦街85号
代理机构 ：
郑州联科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
时立新
优先权 ：
CN201910284885.5
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/50 H01L51/54
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-11-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20190410
申请日 : 20190410
2020-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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