一种LED晶粒的光电性能检测方法
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摘要
本发明提供一种LED晶粒的光电性能检测方法,包括如下步骤:1)用统一的标准片对所有机台进行校正,并指定其中至少一台为标准机且设定扩张比参数,余下不设定扩张比参数的为工作机;2)在非扩张状态下,将切割成晶粒的晶圆放置在工作机上,得到检测数据,检测时利用晶粒本身的位置及边长推算出晶粒上电极的位置;3)对晶圆进行扩张处理,并转移至标准机上再一次进行抽测,得到标准数据;4)将检测数据与标准数据进行比较,对于误差不超过3%的,系统处理数据时根据抽测值进行修正,而误差在3%以上的则判定检测该片晶圆的工作机出现异常,同时向工程师发出警示。本发明取消了检测时对晶圆的扩张和扫描步骤,实现了对产品的一致性管控。
基本信息
专利标题 :
一种LED晶粒的光电性能检测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110931382A
申请号 :
CN201911265651.2
公开(公告)日 :
2020-03-27
申请日 :
2019-12-11
授权号 :
CN110931382B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
郭祖福官婷
申请人 :
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 :
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 :
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘伊旸
优先权 :
CN201911265651.2
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-08 :
授权
2020-04-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20191211
申请日 : 20191211
2020-03-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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