一种导流筒装置和拉晶炉
授权
摘要

本发明公开了一种导流筒装置,包括上导流筒;下导流筒,所述下导流筒设置于所述上导流筒的下方;气流通道,所述气流通道位于所述上导流筒与所述下导流筒之间并且用于分流气体;所述下导流筒的上边缘位于晶棒的预设位置的下方。本发明的导流筒装置能够使得只有少量惰性气体会流经被下导流筒内表面包围的晶棒上,最终使多数惰性气体在晶棒上产生空洞型缺陷对应的高度处被分流到导流筒装置外侧,在晶棒的生长期间使处于空洞型缺陷形核与生长的等温线以下的晶棒的温度梯度变小,在拉晶速度一定时给空位和自间隙原子足够的时间发生复合,极大地抑制了晶棒中的空位浓度,有效的减小空洞型缺陷的生长尺寸,提高晶棒的质量。

基本信息
专利标题 :
一种导流筒装置和拉晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110965118A
申请号 :
CN201911357718.5
公开(公告)日 :
2020-04-07
申请日 :
2019-12-25
授权号 :
CN110965118B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
杨帅军
申请人 :
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 :
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘长春
优先权 :
CN201911357718.5
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-10-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : C30B 15/00
登记生效日 : 20210922
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司
变更后权利人 : 西安奕斯伟材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
变更后权利人 : 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
变更事项 : 申请人
变更后权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司
2020-05-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20191225
2020-04-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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