一种导流筒装置和拉晶炉
授权
摘要

本发明公开了一种导流筒装置,包括导流筒本体和缩径装置,导流筒本体和缩径装置均设置有导流通道,缩径装置环绕导流筒本体并贴合在导流筒本体的内壁上,且缩径装置的导流壁的高度大于或等于晶棒的待冷却区间的高度。本发明缩径装置设置在导流筒本体的内壁上,在向拉晶炉的炉内通入惰性气体时,当惰性气体运动到缩径装置时,由于缩径装置的存在,会使气流通道变小,使得惰性气体在缩径装置处的流速增大,从而能够对该高度处的晶棒进行集中冷却,同时,如果该缩径装置的高度与晶棒的特征温度区间所处高度相重合,可以有效抑制空位型本征缺陷的过饱和度,从而可以有效地避免晶棒产生较大尺寸的空洞型缺陷,最终达到改善晶棒质量的效果。

基本信息
专利标题 :
一种导流筒装置和拉晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111074335A
申请号 :
CN201911367146.9
公开(公告)日 :
2020-04-28
申请日 :
2019-12-26
授权号 :
CN111074335B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
杨帅军雷卫娜阴俊沛惠聪王腾
申请人 :
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 :
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李园园
优先权 :
CN201911367146.9
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-06-07 :
授权
2021-10-08 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : C30B 15/00
登记生效日 : 20210924
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司
变更后权利人 : 西安奕斯伟材料科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
变更后权利人 : 710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
变更事项 : 申请人
变更后权利人 : 西安奕斯伟硅片技术有限公司
2020-05-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20191226
2020-04-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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