一种碳化硅涂层沉积炉流体场的数字孪生控制方法

授权

摘要

本发明公开了一种碳化硅涂层沉积炉流体场的数字孪生控制方法，包括以下步骤：（1）将沉积炉的炉内空间划分成多个控制区域，并在各控制区域内分别安装流量传感器；（2）采集各控制区域内的流量传感器检测到的各控制区域的实际流量值并传送给数字孪生设备；（3）计算出各控制区域的实际流量值与各控制区域的理论流量值之间的差值；（4）根据差值进行流量补偿。本发明利用数字孪生技术，对沉积炉内空间分区域建造数字孪生模型，达到生产时，分区域实时监控沉积炉内影响沉积的物质的流量，通过对采集的实际流量与理论数据融合，得到误差补偿结果，以此进行分区域流量补偿，解决了沉积炉内流量场分布均匀性差的问题，获得高质量的碳化硅涂层。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅涂层沉积炉流体场的数字孪生控制方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110923675A

申请号：

CN201911375207.6

公开（公告）日：

2020-03-27

申请日：

2019-12-27

授权号：

CN110923675B

授权日：

2022-05-24

发明人：

彭雨晴信吉平

申请人：

清华大学无锡应用技术研究院

申请人地址：

江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢13楼

代理机构：

无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

顾吉云

优先权：

CN201911375207.6

主分类号：

C23C16/52

IPC分类号：

C23C16/52 C23C16/32