电子阻挡薄膜，量子点发光二极管及其制备方法
授权
摘要
本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种用于量子点发光二极管的电子阻挡薄膜，所述电子阻挡薄膜包括通式为R1‑Si(OR2)3的化合物；或者，形成所述电子阻挡薄膜的原料包括通式为R1‑Si(OR2)3的化合物；其中，R2选自：H、CH3、C2H5中的一种，R1选自：(CH2)nX，n为3～6之间的整数，X选自：‑P(OR3)2，‑P(R3)2，‑SH、‑NH2、‑COOH中的一种，R3为(CH2)mCH3，m为1～7之间的整数。本发明电子阻挡薄膜不但可以调节电子注入到发光层的速率，使量子点发光层内部空穴与电子数目对等，提高电子和空穴在发光层的复合效率；而且可以起到较好的界面修饰作用，降低量子点发光层表面粗糙度，从而使量子点发光二极管整体性能更稳定。
基本信息
专利标题 ：
电子阻挡薄膜，量子点发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113054120A
申请号 ：
CN201911384428.X
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2019-12-28
授权号 ：
CN113054120B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李雪
申请人 ：
TCL集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN201911384428.X
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
相关图片
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-05-24 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 51/50
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
变更事项 : 申请人
变更前 : TCL集团股份有限公司
变更后 : TCL科技集团股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
变更后 : 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20191228
申请日 : 20191228
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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