电感堆叠结构及射频放大器
授权
摘要
本实用新型公开了一种电感堆叠结构及射频放大器。该电感堆叠结构包括：衬底；堆叠在衬底上的第一电感和第二电感；其中，第一电感在衬底上的垂直投影包括第一环形和第二环形，第一环形和第二环形关于第一中心点呈中心对称；第二电感在衬底上的垂直投影包括第三环形，第三环形关于第二中心点呈中心对称图形；并且，第一中心点和第二中心点重合。根据本实用新型实施例，能够在减小电感占用面积的情况下，避免电感的电磁场耦合，降低了芯片成本。
基本信息
专利标题 ：
电感堆叠结构及射频放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920427040.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-01
授权号 ：
CN209515659U
授权日 ：
2019-10-18
发明人 ：
李博豪尹雪松
申请人 ：
北京智谱微科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市海淀区知春路1号学院国际大厦8层812
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
臧静
优先权 ：
CN201920427040.2
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H03F3/189
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2019-10-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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