一种IGBT陶瓷管壳应力自适应调节结构
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摘要
本实用新型公开了一种IGBT陶瓷管壳应力自适应调节结构，包括陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包括发射极法兰、瓷环、发射极小法兰和发射极铜压块，所述发射极铜压块的外壁四周焊接有发射极小法兰，所述发射极小法兰的顶端外边缘焊接有瓷环，所述瓷环的顶端一侧面焊接有发射极法兰，所述瓷环的内壁焊接有栅极引出端，所述上盖包括集电极铜压块、辅助集电极法兰、集电极法兰，所述集电极铜压块的外壁四周焊接有相对薄的辅助集电极法兰一侧面。该IGBT陶瓷管壳应力自适应调节结构，采用厚薄铜材搭接的方式进行钎焊，可以通过薄的无氧铜辅助法兰的塑性变形来缓解封装或检测时因受力位移产生的应力，保证了封装的性能和工艺稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种IGBT陶瓷管壳应力自适应调节结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920616685.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209626196U
授权日 ：
2019-11-12
发明人 ：
余晓初李啸琳朱萍孙小伟赵蓓莉
申请人 ：
无锡天杨电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山区经济开发区洛社配套区东一路51号
代理机构 ：
苏州国卓知识产权代理有限公司
代理人 ：
明志会
优先权 ：
CN201920616685.0
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/10 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2019-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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