用于硒鼓的侧插芯片结构
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摘要

一种用于硒鼓的侧插芯片结构,它包括:端盖,其一端装设有芯片架;所述芯片架具有侧面入口的芯片放置腔,所述芯片架包括第一卡臂和第二卡臂,第一卡臂和第二卡臂相对设置;所述第一卡臂和第二卡臂均具有供芯片嵌入槽。它具备侧入式芯片操作,结构简单能大大降低用材成本和工艺成本、操作快捷、安装固牢不易脱出等特点。因此,它是一种在经济性、技术性和实用性均具优越性能的产品。

基本信息
专利标题 :
用于硒鼓的侧插芯片结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920633299.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-30
授权号 :
CN209858932U
授权日 :
2019-12-27
发明人 :
李国华
申请人 :
珠海佳思得科技有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市金湾区三灶镇定湾七路3号一期物流中心楼二楼、三楼
代理机构 :
中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
邹常友
优先权 :
CN201920633299.2
主分类号 :
G03G15/00
IPC分类号 :
G03G15/00  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03G
电记录术;电照相;磁记录
G03G15/00
应用电荷图形的电记录工艺的设备
法律状态
2019-12-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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