一种新型硒鼓芯片安装结构
授权
摘要

本实用新型提供了一种新型硒鼓芯片安装结构,包括有粉仓仓体,在粉尘仓体的底面上设有芯片容置部,芯片限位于芯片容置部内;在所述芯片容置部处设有芯片盖,在所述芯片盖上设有若干个导电片,所述芯片盖可配合至芯片容置部处遮蔽芯片容置部,并在配合完成后其上的导电片可与芯片接触。本实用新型可先将芯片安装于芯片容置部内,然后将带导电片的芯片盖配合至芯片容置部处完成固定遮蔽,芯片容置部和带导电片的芯片盖在安装前相互独立,结构简单合理,拆装方便,且在拆卸后不影响导电片的稳定性,是一种技术性和经济性均具有优越性能的产品。

基本信息
专利标题 :
一种新型硒鼓芯片安装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022005183.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-14
授权号 :
CN213069488U
授权日 :
2021-04-27
发明人 :
罗时杰
申请人 :
珠海海佳威科技有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市前山新珠路1004号7层706房
代理机构 :
中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
梁伟生
优先权 :
CN202022005183.X
主分类号 :
G03G21/18
IPC分类号 :
G03G21/18  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03G
电记录术;电照相;磁记录
G03G21/00
不包括在G03G13/00至G03G19/00各组中的装置,例如,清洁、消除残余电荷
G03G21/16
使设备维护简易的机械装置,例如,组合式装置
G03G21/18
应用处理暗盒
法律状态
2021-04-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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