一种应用于半导体废气处理设备的废气反应腔体
授权
摘要
本实用新型公开了一种应用于半导体废气处理设备的废气反应腔体，包括入口管、外管、内管、出水管、进水管，所述外管和内管通过上法兰和下法兰焊接固定，所述外管设于内管外侧且两者之间形成一冷却腔，所述入口管有若干个，入口管安装于内管的侧面且呈周向分布，入口管的外端延伸至外管的外侧，冷却腔和入口管之间通过隔绝管密封，所述出水管和进水管分别设在外管壁上方和下方且和冷却腔相通,所述下法兰的侧面安装有与内管连通的进气管。这种半导体废气处理设备的废气反应腔体，在使用过程中隔热效果优越、密封性好、热能损失小、安装方便快捷。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于半导体废气处理设备的废气反应腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920705575.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-17
授权号 ：
CN210110718U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
章文军杨春水宁腾飞陈彦岗杨春涛王继飞张坤闫萧蔡传涛席涛涛王磊
申请人 ：
安徽京仪自动化装备技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市江北产业集中区管委会B楼403-J室
代理机构 ：
芜湖思诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑直
优先权 ：
CN201920705575.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B01D53/74
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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