一种射频等离子体氧化氮化设备
授权
摘要

本实用新型公开了一种射频等离子体氧化氮化设备,包括射频离子源、真空腔体、气路系统、水路系统和电控系统,所述射频离子源固定在真空腔体一端,射频离子源上设置进气口、进水口和出水口,射频离子源上设置射频线圈和磁场线圈。本设备通过以腔体为中心将各个分系统的组合连接以及腔体的设计,便于参数的控制,便于放置待处理零部件,能够用于若干个零部件的同时处理,便于操作。通过射频电感耦合所产生的高密度低能量的射频等离子体,能够在低温低压环境下稳定维持其放电状态,产生的等离子体全方位地渗透入待处理零部件上以实现均匀的氧化或氮化。

基本信息
专利标题 :
一种射频等离子体氧化氮化设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920737553.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-20
授权号 :
CN210065890U
授权日 :
2020-02-14
发明人 :
吴鑫龙殷冀平蔺增刘兴龙
申请人 :
泰安东大新材表面技术有限公司;东北大学
申请人地址 :
山东省泰安市高新区配天门大街1608号
代理机构 :
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 :
吕薇
优先权 :
CN201920737553.3
主分类号 :
C23C8/36
IPC分类号 :
C23C8/36  C23C8/28  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C8/00
金属材料表面中仅渗入非金属元素的固渗;材料表面与一种活性气体反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理法,例如转化层、金属的钝化
C23C8/06
使用气体的
C23C8/36
使用电离气体的,例如离子氮化
法律状态
2020-02-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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