一种10G抗反射分布反馈式激光器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型公开了一种10G抗反射分布反馈式激光器,包括基板和和依次设置在基板上的有源区、第一包层和衍射光栅层,第一包层和衍射光栅层一端设置有端面刻蚀区,端面刻蚀区底部位于基板内,且端面刻蚀区内生长有抗反射改善层;衍射光栅层和抗反射层上依次覆盖有第二包层、接触层和p‑金属电极层,基板下表面镀有n‑金属电极层,抗反射层的一端镀上抗反射镀膜层,另一端镀上高反射镀膜层。对接区域的光波导层厚度加厚,有效的提高了有源区光耦合至光波导层的耦光效率;并且出光端面的反射光在经过光波导的反向传输路径中,能有效衰减至不影响原激光器增益区域的谐振行为。
基本信息
专利标题 :
一种10G抗反射分布反馈式激光器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920785079.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-28
授权号 :
CN209993866U
授权日 :
2020-01-24
发明人 :
董延李马惠潘彦廷庄文杰王良波朱振斌周桂林杨毅陈文君
申请人 :
陕西源杰半导体技术有限公司;华为技术有限公司;博创科技股份有限公司
申请人地址 :
陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区
代理机构 :
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 :
李鹏威
优先权 :
CN201920785079.1
主分类号 :
H01S5/12
IPC分类号 :
H01S5/12 H01S5/22
法律状态
2021-03-12 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01S 5/12
变更事项 : 专利权人
变更前 : 陕西源杰半导体技术有限公司
变更后 : 陕西源杰半导体科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区
变更后 : 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区
变更事项 : 专利权人
变更前 : 华为技术有限公司 博创科技股份有限公司
变更后 : 华为技术有限公司 博创科技股份有限公司
变更事项 : 专利权人
变更前 : 陕西源杰半导体技术有限公司
变更后 : 陕西源杰半导体科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区
变更后 : 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西新城世纪大道55号清华科技园北区加速器20号厂房C区
变更事项 : 专利权人
变更前 : 华为技术有限公司 博创科技股份有限公司
变更后 : 华为技术有限公司 博创科技股份有限公司
2020-01-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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