原子层沉积传载涂布装置
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摘要
本实用新型揭露一种原子层沉积传载涂布装置，为一种适用于涂布大面积的基板的原子层沉积传载涂布装置，本实用新型的原子层沉积传载涂布装置主要包括有一支撑座、一移载模组、复数个狭缝气体涂布机组，以及一控制模组；借此，本实用新型的原子层沉积传载涂布装置主要借由复数个狭缝气体涂布机组的硬体设计，有效控制复数个狭缝气体涂布机组以间歇性启动及关闭，或由承载基板的移动平台可减短涂布移动的距离，以达到原子层涂布的层积确实达到缩短加工的时程，以及倍增加工效率，并且可基板传送距离降低震动产生的移位，提升加工的良率等主要优势。
基本信息
专利标题 ：
原子层沉积传载涂布装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920823489.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-03
授权号 ：
CN211112206U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
廖世文
申请人 ：
位速科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市杨梅区高青路26号
代理机构 ：
北京申翔知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄超
优先权 ：
CN201920823489.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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