一种内置式晶体生长称重室的气密封结构
授权
摘要

本实用新型公开了一种内置式晶体生长称重室的气密封结构,包括称重室(1)、籽晶光杆(2)以及冷却套(3),所述的称重室(1)的底壁上设置有安装槽,安装槽由第一凹槽(104)和与第一凹槽(104)连接且深度不同的第二凹槽(105)组成,第一凹槽(104)与第一定位平面(301)之间、第二凹槽(105)与第二定位平面(302)之间均采用平面密封。本实用新型采用内置式的电机驱动,冷却套和称重室之间采用平面密封,在旋转和提拉的过程中大大降低了称重室的漏气概率,保证称重室真空度,同时采用调心球轴承并配合不同深浅的凹槽定位,使称重室可以承载一定来自轴向的载荷,确保旋转和提拉的运动稳定性,改善晶体的质量。

基本信息
专利标题 :
一种内置式晶体生长称重室的气密封结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920908815.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-17
授权号 :
CN210560873U
授权日 :
2020-05-19
发明人 :
刘刚
申请人 :
成都晶九科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区高新西区西区大道199号B1幢
代理机构 :
成都厚为专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王杰
优先权 :
CN201920908815.8
主分类号 :
C30B15/28
IPC分类号 :
C30B15/28  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/28
利用晶体或熔体重量变化的,例如浮称法
法律状态
2020-05-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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