封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳
授权
摘要
本申请提供了封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座，金属环框，金属盖板，下埋层金属化层，上埋层金属化层，表面金属化层，8个引脚，8个内通孔金属化柱，8个外凹槽金属化层；通过多层陶瓷与多层金属化及通孔金属化共烧、陶瓷金属化面与不同材料金属的同步焊接、多种材料的匹配组装以及银铜焊料在不同材料表面的润湿分布，实现了结构优化、材料优化以及加工工艺的优化与强强联合，使得提供的陶瓷外壳可用于封装双通道MOS管，能够原位替换SOP8塑封器件，且电阻更小、强度更高、可靠性更高、耐高温性能更好。
基本信息
专利标题 ：
封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920911775.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-17
授权号 ：
CN209729885U
授权日 ：
2019-12-03
发明人 ：
杨旭东许为新张振兴伊新兵相裕兵
申请人 ：
济南市半导体元件实验所
申请人地址 ：
山东省济南市历下区和平路51号
代理机构 ：
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 ：
杨先凯
优先权 ：
CN201920911775.2
主分类号 ：
H01L23/055
IPC分类号 ：
H01L23/055 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/053
中空容器，并有用于半导体本体安装架的绝缘基座
H01L23/055
引线经过基座的
法律状态
2019-12-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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