改善气体分布的沉积室及MPCVD装置
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摘要

本实用新型属于微波等离子体化学气相沉积技术领域,具体涉及一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置。沉积室包括基部、外罩体及沉积台;所述外罩体密封安装在基部上,以与所述基部围成反应腔;所述沉积台,设置在基部的朝向反应腔的一侧;所述基部上设有与所述反应腔连通的进气通道和排气通道;改善气体分布的沉积室还包括处于外罩体内侧、并向反应腔上部延伸的导气通道;所述导气通道与所述进气通道对接连通;所述导气通道上部与反应腔连通,以将进气通道输入的气体引导至反应腔上部。导气通道将进入沉积室内的气体向上引导,确保气体在从排气通道排出前经过沉积台,提高气体的利用率,同时提高沉积装置的反应效率。

基本信息
专利标题 :
改善气体分布的沉积室及MPCVD装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920996507.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-28
授权号 :
CN210529059U
授权日 :
2020-05-15
发明人 :
吴啸范波蔡玉珺常豪锋
申请人 :
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请人地址 :
河南省郑州市高新区梧桐街121号
代理机构 :
郑州睿信知识产权代理有限公司
代理人 :
贾东东
优先权 :
CN201920996507.5
主分类号 :
C23C16/517
IPC分类号 :
C23C16/517  C23C16/455  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/517
采用C23C16/503至C23C16/515的两组或更多种方法放电
法律状态
2020-05-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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