气体喷洒部件以及薄膜沉积装置
授权
摘要
本申请实施例公开了一种气体喷洒部件以及薄膜沉积装置，所述气体喷洒部件中，第一前驱物输入通道与第一腔室的顶部连通，以向第一腔室内输入第一前驱物；第一分流板位于第一腔室的底部，第一分流板上包括多个气体通孔；第二腔室位于第一腔室下方，且与第一腔室之间通过第一分流板分隔；第一分流板上的多个气体通孔供第一前驱物从第一腔室的底部进入第二腔室；第一分流板上至少包括第一区域和第二区域，第一区域为第一前驱物输入通道延伸方向所对应的区域，第二区域围绕第一区域；气体通孔包括位于第一区域内的第一组气体通孔和位于第二区域内的第二组气体通孔。
基本信息
专利标题 ：
气体喷洒部件以及薄膜沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021577916.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN213624369U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
程磊熊少游谭力付家赫
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张李静
优先权 ：
CN202021577916.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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