一种垂直叠层半导体激光器散热结构
授权
摘要
本实用新型涉及大功率半导体激光技术领域，尤其是一种垂直叠层半导体激光器散热结构，包括“凸”字形的散热基座，所述散热基座的上表面中部粘接有第二焊料层，所述第二焊料层上表面上粘接有陶瓷片，所述陶瓷片上表面上粘接有第一焊料层，所述第一焊料层上表面上粘接有半导体激光芯片，所述半导体激光芯片包括多个半导体激光芯片组成单元。本实用新型提供的技术方案中，通过将半导体激光芯片、陶瓷片、正电极块、负电极块和散热基座组装成一体，实现了半导体激光芯片上热量的有效导出，保证了半导体激光芯片安全的工作温度环境，使得半导体激光芯片能够稳定工作，延长了半导体激光芯片的工作寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直叠层半导体激光器散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921051885.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-08
授权号 ：
CN209823104U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
赵景峰
申请人 ：
武汉森普拓光电有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道111号光谷·芯中心二期文昇楼第2-01幢3层6号
代理机构 ：
湖北天领艾匹律师事务所
代理人 ：
胡振宇
优先权 ：
CN201921051885.2
主分类号 ：
H01S5/024
IPC分类号 ：
H01S5/024
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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