一种基于DFN封装的散热装置

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型涉及一种基于DFN封装的散热装置，包括MOSFET芯片、导电基盘和环氧树脂层，MOSFET芯片的上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，导电基盘由散热区和引线框架组成，引线框架的中央基岛与MOSFET芯片的下表面结合，散热区位于MOSFET芯片的正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料层电连接，环氧树脂层包绕整个MOSFET芯片并与引线框架的顶部相固定，MOSFET芯片的顶部设有散热片，散热片的底部两侧设有凸柱，MOSFET芯片的顶部两侧设有与凸柱相匹配的插槽，MOSFET芯片底部的漏极处设置有散热合金。本实用新型通过在MOSFET芯片的顶部设有散热铜片，其能够将芯片工作时产生的热量导向散热片，增强散热性能。

基本信息

专利标题：

一种基于DFN封装的散热装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921191424.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-26

授权号：

CN210535651U

授权日：

2020-05-15

发明人：

杨国江陈益忠夏昊天陈炜徐成于世珩毛嘉云刘健汤振凯徐伟

申请人：

江苏长晶科技有限公司

申请人地址：

江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦1087室

代理机构：

南京禾易知识产权代理有限公司

代理人：

王彩君

优先权：

CN201921191424.5

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367 H01L23/495 H01L23/31

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/34

冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置

H01L23/36

为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器

H01L23/367

为便于冷却的器件造型

法律状态

2022-03-15 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 23/367
变更事项 : 专利权人
变更前 : 江苏长晶科技有限公司
变更后 : 江苏长晶科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 210000 江苏省南京市江北新区研创园团结路99号孵鹰大厦1087室
变更后 : 210000 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼

2020-05-15 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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