一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置
授权
摘要
本实用新型涉及二氧化硅薄膜的测量技术领域，提供了一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，包括用于安置待测的第一层二氧化硅薄膜的安置结构以及用于测量待测的第一层二氧化硅薄膜的测量组件，安置结构包括基底、第一层金属电容板以及第二层金属电容板，待测的第一层二氧化硅薄膜设于第一层金属电容板和第二层金属电容板之间，第一层金属电容板设于基底上，测量组件的两个测量端分别连接在第一层金属电容板和第二层金属电容板上。本实用新型的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，通过安置结构来安置待测的第一层二氧化硅薄膜，然后通过测量组件来测量待测的第一层二氧化硅薄膜，可测量二氧化硅薄膜的介电常数和介电强度，控制成膜质量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921215453.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210110711U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
孔德谋
申请人 ：
武汉云岭光电有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴静
优先权 ：
CN201921215453.0
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
