一种行星式多坩埚PVT法晶体沉积反应炉
授权
摘要
一种行星式多坩埚PVT法晶体沉积反应炉，涉及单晶体反应设备技术领域，具体包括反应平台：反应平台上加工有一组安装凹槽，安装凹槽底部设置有安装轴承，每个安装轴承内分别与一个从动转轴，从动转轴上方设置有一组反应坩埚，所有从动转轴下方均与一组旋转驱动装置配合连接，反应平台上还设置有一组绝热保护罩，绝热保护罩将所有反应坩埚包覆，绝热保护罩外端缠绕有感应线圈，感应线圈通过导线和控制开关与外接电源电连接；本实用新型多个坩埚由一组旋转驱动装置统一驱动旋转，在反应的同时，旋转坩埚，保证坩埚的内的晶体沉积效率增加，能够形成稳定的均匀的适合单晶体沉积的温度梯度，缩减制备成本。
基本信息
专利标题 ：
一种行星式多坩埚PVT法晶体沉积反应炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921270676.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN210194036U
授权日 ：
2020-03-27
发明人 ：
赵丽丽张胜涛袁文博范国峰
申请人 ：
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号
代理机构 ：
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩立岩
优先权 ：
CN201921270676.7
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-03-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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