一种行星式多坩埚PVT法晶体沉积反应炉
授权
摘要
一种行星式多坩埚PVT法晶体沉积反应炉,涉及单晶体反应设备技术领域,具体包括反应平台:反应平台上加工有一组安装凹槽,安装凹槽底部设置有安装轴承,每个安装轴承内分别与一个从动转轴,从动转轴上方设置有一组反应坩埚,所有从动转轴下方均与一组旋转驱动装置配合连接,反应平台上还设置有一组绝热保护罩,绝热保护罩将所有反应坩埚包覆,绝热保护罩外端缠绕有感应线圈,感应线圈通过导线和控制开关与外接电源电连接;本实用新型多个坩埚由一组旋转驱动装置统一驱动旋转,在反应的同时,旋转坩埚,保证坩埚的内的晶体沉积效率增加,能够形成稳定的均匀的适合单晶体沉积的温度梯度,缩减制备成本。
基本信息
专利标题 :
一种行星式多坩埚PVT法晶体沉积反应炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921270676.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-07
授权号 :
CN210194036U
授权日 :
2020-03-27
发明人 :
赵丽丽张胜涛袁文博范国峰
申请人 :
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号
代理机构 :
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
韩立岩
优先权 :
CN201921270676.7
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-03-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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