一种便于调节光距的半导体蚀刻光罩
授权
摘要
本实用新型涉及蚀刻光罩技术领域,具体为一种便于调节光距的半导体蚀刻光罩,包括底板,底板一端的上表面对称焊接有两个第一支柱,底板另一端的上表面紧密焊接有第二支柱,第一支柱的顶端紧密焊接有顶板,底板的上方设有遮光板,遮光板的一侧设有T形板,遮光板另一侧设有连接板。该便于调节光距的半导体蚀刻光罩,遮光板通过T形板被限位在两个第一支柱之间,因此,转动螺杆实现调节遮光板与底板之间间距的效果,使得遮光板远离底板时,遮光板离光源较近,穿过透光孔的光在半导体表面投影面积较大,蚀刻面积因此也随之变大,相反地,蚀刻面积变小,解决光罩不便于调节遮光板与灯源距离的问题。
基本信息
专利标题 :
一种便于调节光距的半导体蚀刻光罩
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921280064.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-08
授权号 :
CN210270510U
授权日 :
2020-04-07
发明人 :
张勇何於闫文军
申请人 :
江苏壹度科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省镇江市句容市开发区崇明西路102号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921280064.6
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G03F1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2020-04-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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