一种封装基板碱性微蚀设备
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摘要
一种封装基板碱性微蚀设备，所述机体的前后两端均设置有通孔，前端通孔为入口，后端通孔为出口，机体内部划分为蚀刻区、清洗区和烘干区三部分；所述蚀刻区和清洗区之间设有两个第一竖直隔板，一个第一竖直隔板位于蚀刻区和清洗区之间的顶端，另一个第一竖直隔板位于蚀刻区和清洗区之间的底端，且两个第一竖直隔板之间留有供传送架穿过的间隙；所述清洗区和烘干区之间设有两个第二竖直隔板，一个第二竖直隔板位于清洗区和烘干区之间的顶端，另一个第二竖直隔板位于清洗区和烘干区之间的底端，且两个第二竖直隔板之间留有供传送架穿过的间隙；所述机体内还设置有传送架，传送架从机体的入口经过蚀刻区、清洗区和烘干区从机体的出口伸出。
基本信息
专利标题 ：
一种封装基板碱性微蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921544413.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN211017005U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
陈建平
申请人 ：
珠海市丹尼尔电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市斗门区井岸镇新青二路9号（C号厂房）三楼靠北一方800平方
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921544413.0
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/67 H05K3/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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