电容部件和电子芯片
授权
摘要
本公开的实施例涉及电容部件和电子芯片。电容部件包括沟槽以及与沟槽竖直排列的第一氧化硅层的第一部分和包括多晶硅或非晶硅的第二导电层和第三导电层的第一部分，第一层的第一部分位于第二层和第三层的第一部分之间并与第二层和第三层的第一部分接触。
基本信息
专利标题 ：
电容部件和电子芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921650459.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210805823U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
A·马扎基P·弗纳拉
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
闫昊
优先权 ：
CN201921650459.0
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
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法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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