一种集成全彩发光芯片结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种集成全彩发光芯片结构，包括透明衬底，所述透明衬底的一侧设置有负极层，所述负极层上设有三个独立发光单元，所述发光单元包含有多量子阱发光层、正极层和正极电极，三个所述多量子阱发光层设置在所述负极层上，三个所述正极层分别设于三个所述多量子阱发光层上，三个所述正极电极设置分别在三个所述正极层上，所述负极层上设有负极电极，所述透明衬底的另一侧设置有RGB色转换层。本实用新型通过集成技术和量子点技术相结合，在缩小芯片尺寸降低LED显示间距的同时可以进行色彩转换，达到较优的出光效果，大幅度提升显示质量。
基本信息
专利标题 ：
一种集成全彩发光芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921652517.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-29
授权号 ：
CN210489618U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
龚文张雨晨邵鹏睿
申请人 ：
深圳市晶台股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道福园一路西侧润恒工业厂区501
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈伟斌
优先权 ：
CN201921652517.3
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/50
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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