一种适用于不同规格尺寸硅片的石墨载板结构
授权
摘要
本实用新型的目的在于公开一种适用于不同规格尺寸硅片的石墨载板结构，包括用于承载硅片的槽体，所述槽体的四角为相同弧度的圆弧形，所述槽体的承载面为由相互对称的斜托面与平托面相结合的平面角型结构；与现有技术相比，承载面采用斜托面与平托面相结合的平面角型设计，不同规格的硅片可以分别搭载在斜托面和平托面上，四角采用相同弧度的圆弧形对称设计，弧度的大小可以根据不同规格硅片进行调整，满足不同规格电池片定制化生产的需求，有效地解决了由于硅片尺寸偏差导致的绕镀、崩边和掉片的问题；满足了市场对不同尺寸电池片定制化生产需求、改善了产品质量、降低了生产成本、提升了设备的利用率，实现本实用新型的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于不同规格尺寸硅片的石墨载板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921777049.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-22
授权号 ：
CN211079327U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
宋标高艳飞张强刘怀彬任杰董忠吉袁逸秀王丽娜
申请人 ：
国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请人地址 ：
陕西省西安市航天基地东长安街589号
代理机构 ：
上海精晟知识产权代理有限公司
代理人 ：
安曼
优先权 ：
CN201921777049.2
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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