一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板
授权
摘要
本实用新型公开了一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，石墨载板的石墨框上设有多个用于承载硅片的框格，框格为内部镂空的正方形边框结构，四个边框内侧结构形状相同，每个边框均设有阶梯状的多个台阶，相邻的两个台阶间的连接面为斜面，水平的台阶面和为斜面的连接面均为用于搭载硅片的承载台。本实用新型通过重新设计石墨框硅片承载台的结构，实现了多种规格硅片的承载，最大可满足200*200mm大尺寸硅片，采取水平台阶与斜面的组合型硅片承载台设计，既消除了因为硅片尺寸过大易翘曲从而在镀膜过程中产生绕镀的问题，又解决了小尺寸硅片在斜面上的掉片问题。
基本信息
专利标题 ：
一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921270916.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN211079326U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
王茜茜职森森刘晓瑞周浩吴仕梁路忠林张凤鸣
申请人 ：
江苏日托光伏科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区锡士路20号
代理机构 ：
南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李玉平
优先权 ：
CN201921270916.3
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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