一种兼容不同尺寸硅片的PECVD石墨舟
授权
摘要
本实用新型公开了一种兼容不同尺寸硅片的PECVD石墨舟，所述石墨舟开设有用于安装卡点的卡点安装孔，所述的卡点安装孔为N组，N为大于等于2的自然数，多组卡点安装孔使得所述石墨舟能够在不同的位置安装卡点，从而匹配不同尺寸的硅片。该石墨舟能兼容不同尺寸硅片，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
一种兼容不同尺寸硅片的PECVD石墨舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921140925.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-19
授权号 ：
CN210420155U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
赵朋松殷科平殷文杰李吉胡番夏利鹏顾生刚刘海金赵本定杨二存赵小平
申请人 ：
天津爱旭太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
天津市北辰区天津北辰经济技术开发区科技园高新大道与景通路交口东北侧
代理机构 ：
广州知友专利商标代理有限公司
代理人 ：
高文龙
优先权 ：
CN201921140925.0
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 H01L21/673
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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