一种用于半导体芯片的钨钛合金靶材
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于半导体芯片的钨钛合金靶材,包括靶材和背板,所述靶材的下端面上设置有楔形凸起，所述背板的山端面上设置有楔形凹槽，所述楔形凸起卡接在楔形凹槽中，背板的左右两侧设置有向上伸出的侧板，所述侧板与靶材的侧壁通过连接销固定连接，所述背板中还设置有冷却水道，所述冷却水道包括上行水道，冷凝腔和下行水道，所述上行水道，冷凝腔和下行水道构成首尾相连的连通水道。本实用新型是一种结构合理，加工难度低，散热效果好的半导体芯片的钨钛合金靶材。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体芯片的钨钛合金靶材
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921806050.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-25
授权号 ：
CN210916234U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
易民开杜印邱远攀贺帮志
申请人 ：
昆山海利菲精密机械有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市玉山镇城北水秀路1911号3号房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921806050.3
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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