半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构；包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；第一聚合物的上表面呈凹凸不平状；开口，沿厚度方向贯穿第一聚合物层，以暴露出焊盘；重布线层，位于第一聚合物层上及开口内，且与焊盘电连接；第二聚合物层，位于第一聚合物层上，且覆盖重布线层。述半导体结构中通过将第一聚合物层的上表面设计为凹凸不平状，位于第一聚合物层上表面的介电层部分填充于凹槽内，甚至重布线层及第二聚合物层也部分填充于凹槽内，会使得位于第一聚合物层上表面的介电层与第一聚合物层具有较好的接着性，可以有效避免脱层问题的发生。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921908938.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN210575838U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201921908938.8
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/485
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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