半导体结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体结构；包括：基底，基底内形成焊盘；第一聚合物层，位于基底上；介电层，位于第一聚合物层的上表面；第一开口，沿厚度方向贯穿介电层及所述第一聚合物层；重布线层，位于介电层上及所述第一开口内；第二聚合物层，位于介电层的上表面；第二开口，位于第二聚合物层内。上述半导体结构中通过在重布线层与第一聚合物层之间增设介电层，可以避免对金属刻蚀腔室造成污染，且可以保护第一聚合物层不会造成损伤；又由于介电层的硬度较大，在形成焊线时可以提供应力反馈，从而避免焊线脱落。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921909414.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN210575839U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201921909414.0
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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