半导体结构
授权
摘要
本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构，半导体结构包括半导体基底、金属焊盘、凸块、金属阻绝层以及焊料层，金属焊盘设置于半导体基底上；凸块设置于金属焊盘上；金属阻绝层设置于凸块远离金属焊盘的一侧，金属阻绝层具有容纳腔，金属阻绝层的侧壁上设置有开口，开口与容纳腔相连通；焊料层设置于容纳腔内，且焊料层远离凸块的一端凸出容纳腔设置。由于开口的存在，在倒装芯片焊接过程中，受热而溢流出去的焊料会随着开口流出，即开口起到了导流的作用，从而通过控制开口的方向即可实现对焊料的导流作用，以此改善凸块间焊料桥接的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922107751.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210640230U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
庄凌艺
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
李建忠
优先权 ：
CN201922107751.4
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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