一种大尺寸硅圆片
授权
摘要
本实用新型提供一种大尺寸硅圆片，所述硅圆片外圆周设有一开口朝外设置的凹槽，所述凹槽为V型结构；所述凹槽位于所述硅圆片直径上且其顶端朝所述硅圆片中心设置；所述凹槽位于所述硅圆片四个任一棱点上。本实用新型大尺寸硅圆片，在硅圆片外圆周设一角度为89‑95°的凹槽，凹槽深度为1‑1.5mm，尤其是凹槽顶角为90°，深度为1.25mm，且这一凹槽结构设置在硅圆棒四个棱线与硅圆片交点的任一处，不仅不会影响硅圆片的整体使用，而且还便于与减薄装置配合固定，同时还可防止硅圆片出现裂痕或碎片。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸硅圆片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922000762.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN210837763U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
裴坤羽祝斌刘蛟龙武卫孙晨光刘建伟由佰玲王聚安刘园谢艳杨春雪刘秒常雪岩吕莹徐荣清
申请人 ：
天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201922000762.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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