硅圆片的加强材料
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一个要减薄的硅物体的加强做法，是在其一个正表面形成一层机械支承镀层；这层呈精细分开形状的镀层粘附于该正表面，含有至少18％重量的硅。
基本信息
专利标题 ：
硅圆片的加强材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86103467A
申请号 ：
CN86103467.8
公开（公告）日 ：
1986-11-26
申请日 ：
1986-05-17
授权号 ：
CN86103467B
授权日 ：
1988-09-14
发明人 ：
布赖恩·李·科里
申请人 ：
特克特朗尼公司
申请人地址 ：
美国俄勒冈州·比弗顿·邮箱500号·西南格里
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN86103467.8
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30 H01L29/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
2002-01-09 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1994-06-15 ：
著录项目变更
变更事项 : 申请人
变更前 : 特克特朗尼克公司
变更后 : 科学成象技术有限公司
变更前 : 特克特朗尼克公司
变更后 : 科学成象技术有限公司
1989-07-05 ：
授权
1988-09-14 ：
审定
1987-08-05 ：
实质审查请求
1986-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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