基于掺铋砷化镓可饱和吸收体的X型腔脉冲激光器
授权
摘要
本实用新型公开了基于掺铋砷化镓可饱和吸收体的X型腔脉冲激光器。本实用新型中带尾纤输出的半导体激光器产生连续光依次经过耦合透镜和凹面输入镜入射到Yb:LSO晶体,然后经过Yb:LSO晶体的增益后，激光由凹面反射镜反射到平面反射镜，之后被反射并且按原路返回，并且再次经过Yb:LSO晶体经过，加强光强，当激光到达凹面入射镜，被反射透过掺铋砷化镓可饱和吸收体，最后透过掺铋砷化镓可饱和吸收体后射向输出镜。本实用新型减小了输出脉冲的重复频率，提高单脉冲能量，并且获得更加窄的锁模脉冲输出。
基本信息
专利标题 ：
基于掺铋砷化镓可饱和吸收体的X型腔脉冲激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922073332.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN211629514U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
常建华王健刘俊彤戴腾飞
申请人 ：
南京信息工程大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区宁六路219号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹坤
优先权 ：
CN201922073332.3
主分类号 ：
H01S5/022
IPC分类号 ：
H01S5/022 H01S5/026
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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