缓冲装置、芯片及电子设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种缓冲装置、芯片及电子设备，所述装置包括：电压调整模块，包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS，所述电压调整模块用于接收输入电压，并利用所述第一PMOS的阈值电压对所述输入电压进行调整，输出驱动电压；缓冲模块，电连接于所述电压调整模块，用于接收输入信号，并在所述驱动电压下对所述输入信号进行缓冲，输出缓冲后的信号。本实用新型实施例可以利用第一PMOS的阈值电压对输入电压进行调整，得到的驱动电压可以对缓冲模块的工艺角(corner)进行补偿，使得缓冲模块的翻转点电压范围变小，满足工艺要求。
基本信息
专利标题 ：
缓冲装置、芯片及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922195113.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN210899134U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
杨伟樊磊
申请人 ：
北京集创北方科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区景园北街2号56幢
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201922195113.2
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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