一种区熔硅单晶的加持结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种区熔硅单晶的加持结构，包括外轴、固定件，所述销子本体为丁字结构，顶端设有螺母，中间为较厚的圆形钼板，钼板边缘设有弧形开口，弧形开口与区熔硅单晶的直径相对应，弧形开口紧贴与区熔硅单晶，中间设有与螺母对应的螺栓孔，低端设有固定销，固定销穿过钼板与螺母进行链接，固定销固定在区熔硅单晶制造机的外轴，钼板的倒角将区熔硅单晶进行加持。本实用新型所述的倒角销子片采用的是较厚的钼板作为原材，在与区熔硅单晶接触面处进行倒角处理，使得销子片与区熔硅单晶接触面加大，贴合，从而达到区熔硅单晶加持更稳定的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种区熔硅单晶的加持结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922248626.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211256150U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
郝大维张志富王克旭李皓吴峰楚占斌王彦君
申请人 ：
中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
代理机构 ：
天津滨海科纬知识产权代理有限公司
代理人 ：
耿树志
优先权 ：
CN201922248626.5
主分类号 ：
C30B13/00
IPC分类号 ：
C30B13/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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