一种避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构。本实用新型由下至上依次包括基底、下绝缘层、上绝缘层。在下绝缘层上布置测温线圈、加热线圈、供电正电极引脚和负电极引脚；上绝缘层覆盖测温线圈和加热线圈，上绝缘层上布置有供电负电极。测温线圈为具有开口的圆环形，加热线圈为双涡旋曲线形，加热线圈位于测温线圈内。本实用新型中交错的双涡旋曲线的加热线圈结构，可以减少加热线圈所占的面积，同时可以避免加热、测温电流产生磁场对器件引入的磁场干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922366810.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN211182795U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
林强李德钊黄宇翔
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区潮王路18号
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨舟涛
优先权 ：
CN201922366810.X
主分类号 ：
H01S5/024
IPC分类号 ：
H01S5/024 H01S5/026 H05K9/00
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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