一种电子芯片的磁场屏蔽结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种电子芯片的磁场屏蔽结构，其包括芯片本体、设于芯片本体外的封装壳体以及设于封装壳体内的磁场引导件。本实用新型通过在电子芯片内设置磁场引导件，对芯片本体产生的磁场进行引导，将其磁场方向限制在一定空间内，或者压缩其磁场扩散空间，从而实现电子芯片的磁场屏蔽，避免该电子芯片周围电子器件遭受电磁干扰。而且，本实用新型的磁场引导件集成或封装于电子芯片内，避免了屏蔽罩的使用，从而减少了电子器件的安装空间，使电子产品更加小型化。
基本信息
专利标题 ：
一种电子芯片的磁场屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020905535.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-26
授权号 ：
CN212342615U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
周宏达
申请人 ：
厦门圣德斯贵电子科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市思明区石顶街32号三楼B区25单元
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
罗恒兰
优先权 ：
CN202020905535.4
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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