散热性能高的半导体三极管
授权
摘要
本实用新型涉及半导体三极管技术领域，公开了一种散热性能高的半导体三极管，包括三极管本体、IC芯片、引脚以及散热块，三极管本体的外侧壁凹设有一容置槽，IC芯片和散热块依次嵌设于容置槽内设置，且散热块位于IC芯片的上端部设置，引脚分别竖直平行的设置于三极管本体的下端壁上，IC芯片分别与引脚电连接，且IC芯片和散热块的外侧壁分别与容置槽的内侧壁间隔连接。本实用新型的技术方案能够有效解决IC芯片的发热的问题，提高了IC芯片的散热能力，从而提高了三极管的性能可靠性，延长了使用寿命，且结构简单，组合封装方便，实用性强。
基本信息
专利标题 ：
散热性能高的半导体三极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922371482.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN210866160U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
陈华军
申请人 ：
深圳华矽电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华新区龙华街道上油松村尚游公馆2120-2121室
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
彭西洋
优先权 ：
CN201922371482.2
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/057
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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