一种真空半导体三极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种真空半导体三极管，包括真空半导体三极管本体，所述真空半导体三极管本体的底端均匀安装有三个引脚，三个所述引脚的底端均可拆卸安装有传导装置，三个所述引脚的底端均开设有与传导装置相互配合的连接槽，三个所述传导装置顶端的外侧壁上均可活动安装有限位块，三个所述连接槽的内侧壁上均开设有与限位块相互配合的限位槽，且限位槽均延伸至引脚的外侧。本实用新型中可以方便的将真空半导体三极管本体与焊接在电路板上的传导装置分离，从而可以方便的对真空半导体三极管本体进行保养、维修、更换以及再利用，设计合理。
基本信息
专利标题 ：
一种真空半导体三极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920985546.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-27
授权号 ：
CN210535655U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
耿东
申请人 ：
苏州达亚电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区东环路1400号1幢1101、1104室
代理机构 ：
上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李倩倩
优先权 ：
CN201920985546.5
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L29/73
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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