半导体三极管引线支架氧化保护装置
实质审查的生效
摘要

本发明公开了半导体三极管引线支架氧化保护装置,涉及氧化保护技术领域,解决了现有喷射氮气时存在浪费的问题,包括加工平台,加工平台上等距固定有多个垫条,还包括滑动插接于多个垫条上的两个L型板,且两个L型板内等距开有插入口,L型板内对应插入口位置处开有安装口,且安装口内安装有密闭件,两个L型板之间螺纹插接有两个双向螺纹杆,且两个双向螺纹杆外端安装有驱动机构,两个双向螺纹杆两端通过连接架安装于加工平台两端,加工平台底部安装有回收机构,本发明通过优化现有的加工平台,通过增设L型板和密封板的相互配合,使得L型板打开和闭合时,能够同步对安放区域内气体的补充和回收,提高气体的利用效果,减少气体的浪费。

基本信息
专利标题 :
半导体三极管引线支架氧化保护装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373704A
申请号 :
CN202210051883.3
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2022-01-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘特骥刘特鹏刘子媛
申请人 :
揭阳市科和电子实业有限公司
申请人地址 :
广东省揭阳市榕城区榕东东南工业区A幢
代理机构 :
北京子焱知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王倩
优先权 :
CN202210051883.3
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/687  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220117
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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