一种单晶炉的水冷热屏结构
授权
摘要
本实用新型涉及单晶炉技术领域，且公开了一种单晶炉的水冷热屏结构，包括水冷热屏本体，所述水冷热屏本体的内部设置有内屏。该单晶炉的水冷热屏结构，通过设置水冷热屏本体，水冷热屏本体通过水道内的循环冷却水快速将水冷热屏本体内壁上的热量带走，形成一个热量快速散发的通道，能够更好地创造一个对结晶有利的温度空间，从而加快晶棒的结晶速度，缩短晶棒的生长时间，提高拉晶效率，通过设置热熔板和导热板，可增加水冷热屏本体内部的降温速度，因热熔板和导热板分别为铝板和铜板，铝板和铜板的降温和吸热效果较好，可增加该结构的冷却速度，使得结晶的生产速度更高，该结构的生产效率也会更高，成本也会有一定的下降。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉的水冷热屏结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922388746.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211522367U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
邵化水张会现洪东旭李志强边恒军刘启铎王营涛
申请人 ：
杞县东磁新能源有限公司
申请人地址 ：
河南省开封市杞县葛岗镇楚寨村
代理机构 ：
北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
何东明
优先权 ：
CN201922388746.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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