一种硅片裂痕检测设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅片裂痕检测设备，包括若干第一传送带装置及测量结构，其特征在于：还包括第二传送带装置，若干所述第二传送带装置位于两个所述第一传送带装置之间，若干测量结构位于两个所述第一传送带装置之间，且每两个所述第一传送带装置之间的若干所述测量结构间隔设置，若干所述第一传送带装置与若干所述第二传送带装置的运动方向相同，且所述第一传送带装置的运动速度是所述第二传送带装置运行速度的2‑3倍。本实用新型涉及硅片检测设备的技术领域。本实用新型具有提高检测设备精准性的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片裂痕检测设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922415769.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-28
授权号 ：
CN211150522U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
郭新民郭华明史树伟姜利国
申请人 ：
溧阳市腾新机电设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市溧阳市戴埠镇横一路1号1幢
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
盛天亮
优先权 ：
CN201922415769.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211150522U.PDF
PDF下载
