一种基于立体封装技术的SDRAM存储器

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种基于立体封装技术的SDRAM存储器，包括SDRAM芯片和基板，基板共三层且最上层的基板上设有一个SDRAM芯片，在相邻两个基板之间设有两个SDRAM芯片，基板上还设有第二对外引线桥，SDRAM芯片在基板上实现拓扑互连，引出的信号连接第二对外引线桥上，基板的下端设有底板，底板为对外引脚层且焊接有第一对外引线桥和对外引脚BGA焊盘，底板上设有BGA焊球，BGA焊球焊接在底板的对外引脚BGA焊盘上作为对外引脚。本实用新型采用立体封装技术单个存储器模块内完成五颗SDRAM拓扑互连布线，在PCB设计时不需要在进行繁琐的拓扑布线，大大缩短设计周期提高效率，且能够达到容量或位宽的扩展。

基本信息

专利标题：

一种基于立体封装技术的SDRAM存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922495256.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-31

授权号：

CN211376639U

授权日：

2020-08-28

发明人：

尹越王伟

申请人：

青岛欧比特宇航科技有限公司

申请人地址：

山东省青岛市黄岛区青岛古镇口军民融合创新示范区融合路一号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201922495256.5

主分类号：

H01L25/065

IPC分类号：

H01L25/065 H01L27/108 H01L23/31