多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构,该方法包括:分别提供基板以及多组存储器芯片,每组存储器芯片包括第一存储器芯片和第二存储器芯片;第一存储器芯片和第二存储器芯片设置有多个导电通孔;分别将第一存储器芯片与第二存储器芯片进行混合键合,形成多个存储器微模组;在第一存储器芯片朝向基板的表面依次形成第一导电凸块和第二导电凸块;在第二存储器芯片背离基板的表面形成焊盘;通过热压焊工艺将第二导电凸块和焊盘相嵌套,以将多个存储器微模组依次绝缘堆叠在基板上;通过回流焊工艺将堆叠完成的多个存储器微模组和基板进行回流焊接;形成塑封层。本发明可以实现超多层芯片堆叠,提高生产效率,实现超细间距的互连。

基本信息
专利标题 :
多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114464542A
申请号 :
CN202111496033.6
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2021-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杜茂华
申请人 :
通富微电子股份有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市崇川路288号
代理机构 :
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 :
李明
优先权 :
CN202111496033.6
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56  H01L21/60  H01L21/603  H01L23/31  H01L23/498  H01L25/065  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20211208
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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