一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器

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摘要

本实用新型提供了一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器。立体封装结构包括：从下至上垂直叠装的基板、引脚框架和多个基片；引脚框架设有用于对外连接的引脚；基板、引脚框架和多个基片经灌胶、切割后在周边露出电气连接引脚；基板、引脚框架和多个基片经电镀后外表面设有模块外壳，模块外壳表面上设有金属连接线和金属面。MRAM存储器包括上述立体封装结构；基片为MRAM芯片；电气连接引脚包括所述MRAM芯片的关键信号引脚和地信号引脚；关键信号引脚通过立体封装结构中的金属连接线互连。本实用新型的立体封装MRAM存储器具备抗振动冲击能力，抗重离子单粒子效应能力强，高集成、高可靠的优点。

基本信息

专利标题：

一种用于封装MRAM存储器的立体封装结构和MRAM存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021835589.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-28

授权号：

CN213184261U

授权日：

2021-05-11

发明人：

颜军陈像颜志宇龚永红王烈洋占连样汤凡蒲光明陈伙立骆征兵

申请人：

珠海欧比特宇航科技股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市唐家东岸白沙路1号欧比特科技园

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司

代理人：

郑晨鸣

优先权：

CN202021835589.4

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L43/08