一种立体封装DDR2 SDRAM存储器

授权

摘要

本实用新型公开一种立体封装DDR2SDRAM存储器，包括封装体以及均设置在封装体内的引脚底板和多个芯片层；引脚底板上设置有第一引线桥以及用于对外连接的信号引脚，第一引线桥通过走线与信号引脚关联连接；多个芯片层从下往上依次堆叠在引脚底板上，每个芯片层包括基板和DDR2芯片，基板上设置有关联连接的第二引线桥和信号连接线，DDR2芯片叠放在基板上，且与信号连接线关联连接；封装体的外表面设置有镀金连接线和金属屏蔽层，镀金连接线将多个基板的第二引线桥关联连接后与第一引线桥关联连接，金属屏蔽层与引脚底板的接地信号引脚关联连接。本实用新型具有抗振动冲击能力，而且在封装体的表面设置有金属屏蔽层，可以提高存储器的抗电离辐射能力。

基本信息

专利标题：

一种立体封装DDR2 SDRAM存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921475085.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-06

授权号：

CN210467839U

授权日：

2020-05-05

发明人：

颜军陈像潘申林王烈洋占连样

申请人：

珠海欧比特宇航科技股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市唐家东岸白沙路1号欧比特科技园

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司

代理人：

郑晨鸣

优先权：

CN201921475085.3

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L23/552